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DGD2104S8-13

DGD2104S8-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 主动器件

DIODES INC.  DGD2104S8-13  MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 新

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SO


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


贸泽:
门驱动器 H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA


e络盟:
MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8


艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R


Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R


Newark:
# DIODES INC.  DGD2104S8-13  MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 New


DGD2104S8-13中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 70ns, 35ns

输出接口数 2

输出电流 600 mA

针脚数 8

耗散功率 625 mW

上升时间 70 ns

下降时间 35 ns

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 170 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DGD2104S8-13引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DGD2104S8-13 Diodes 美台 DIODES INC.  DGD2104S8-13  MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 新 搜索库存