DMP3017SFG-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMP3017SFG-13中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 8.5 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 940 mW
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 11.5A
上升时间 15.4 ns
输入电容Ciss 2246pF @15VVds
额定功率Max 940 mW
下降时间 36.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 940mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
外形尺寸
封装 PowerDI-3333-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DMP3017SFG-13引脚图与封装图
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在线购买DMP3017SFG-13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMP3017SFG-13 | Diodes 美台 | MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF | 搜索库存 |
替代型号DMP3017SFG-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMP3017SFG-13 品牌： Diodes 美台 封装： PowerDI3333-8 P-CH 30V 11.5A | 当前型号 | MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF | 当前型号 |
| 型号： DMP3017SFG-7 品牌： 美台 封装： PowerDI3333-8 P-CH 30V 11.5A | 类似代替 | DMP3017SFG 系列 30 V 10 mOhm P-沟道 增强型 Mosfet - POWERDI3333-8 | DMP3017SFG-13和DMP3017SFG-7的区别 |