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DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

P沟道,Vdss=30V,Idss=9.9A

P-Channel 30V 9.9A Ta 1.45W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO


立创商城:
P沟道 30V 9.9A


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R; 2.5K


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A Automotive 8-Pin SO T/R


富昌:
.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A Automotive 8-Pin SO T/R


儒卓力:
**P-CH 30V 9,9A 11mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO


DMG4407SSS-13中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.82 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.9A

上升时间 15.4 ns

输入电容Ciss 2246pF @15VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 1.45W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG4407SSS-13引脚图与封装图
DMG4407SSS-13引脚图

DMG4407SSS-13引脚图

DMG4407SSS-13封装图

DMG4407SSS-13封装图

DMG4407SSS-13封装焊盘图

DMG4407SSS-13封装焊盘图

在线购买DMG4407SSS-13
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DMG4407SSS-13 Diodes 美台 P沟道,Vdss=30V,Idss=9.9A 搜索库存