DMN2250UFB-7B

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

N-Channel 20V 1.35A Ta 500mW Ta Surface Mount X1-DFN1006-3

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DMN2250UFB-7B中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.35A

上升时间 6.1 ns

输入电容Ciss 94pF @16VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 25.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN2250UFB-7B引脚图与封装图

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