DMP6110SSD-13

Diodes(美台) 分立器件

2个P沟道 60V 3.3A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 3.3A 1.2W 表面贴装型 8-SO

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DMP6110SSD-13中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.8 W

输入电容 969 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 3.3A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 969pF @30VVds

额定功率Max 1.2 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.95 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMP6110SSD-13引脚图与封装图

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