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DZT491-13
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 1A 150MHz 1W Surface Mount SOT-223


立创商城:
DZT491-13


得捷:
TRANS NPN 60V 1A SOT-223


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1W 60V


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this NPN DZT491-13 GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4PinSOT223


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN 60V 1A SOT-223


DeviceMart:
TRANS NPN BIPO 60V SOT-223


DZT491-13中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DZT491-13引脚图与封装图
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在线购买DZT491-13
型号 制造商 描述 购买
DZT491-13 Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号DZT491-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DZT491-13

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 NPN 1000mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号: FZT491TA

品牌: 美台

封装: SOT-223 NPN 60V 1A 3000mW

类似代替

FZT491TA 编带

DZT491-13和FZT491TA的区别

型号: BSP41@115

品牌: 恩智浦

封装: NPN 1.3W

功能相似

BSP41@115

DZT491-13和BSP41@115的区别