通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 41 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 17.5A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 5404pF @10VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 104 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMP2006UFG-7 | Diodes 美台 | Trans MOSFET P-CH -20V -17.5A 8Pin PowerDI T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMP2006UFG-7 品牌: Diodes 美台 封装: PowerDI3333-8 P-CH 20V 17.5A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH -20V -17.5A 8Pin PowerDI T/R | 当前型号 | |
型号: DMP2006UFG-13 品牌: 美台 封装: PowerDI3333-8 P-CH 20V 17.5A | 类似代替 | MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64NC | DMP2006UFG-7和DMP2006UFG-13的区别 |