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DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN2990UFZ-7B 编带

表面贴装型 N 通道 250mA(Ta) 320mW(Ta) X2-DFN0606-3


得捷:
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN


立创商城:
N沟道 20V 250mA


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMN2990UFZ-7B power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 320 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.25A 3-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.25A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606


DMN2990UFZ-7B中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.32 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.25A

上升时间 2.1 ns

输入电容Ciss 55.2pF @16VVds

额定功率Max 320 mW

下降时间 7.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN2990UFZ-7B引脚图与封装图
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