DMN53D0L-13

Diodes(美台) 分立器件

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

N-Channel 50V 500mA Ta 370mW Ta Surface Mount SOT-23

得捷:
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

DMN53D0L-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.54 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.5A

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 46pF @25VVds

额定功率Max 370 mW

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 370mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN53D0L-13引脚图与封装图

DMN53D0L-13引脚图

DMN53D0L-13封装图

DMN53D0L-13封装焊盘图

在线购买DMN53D0L-13

型号	制造商	描述	购买
DMN53D0L-13	Diodes 美台	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	搜索库存