频率 200 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
封装 SOT-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DCX52-16-13 | Diodes 美台 | Trans GP BJT PNP 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DCX52-16-13 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-89-3 PNP 1W | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | 当前型号 | |
型号: BCX5216TA 品牌: 美台 封装: TO-243AA PNP 60V 1A 2000mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | DCX52-16-13和BCX5216TA的区别 | |
型号: BCX52-16,115 品牌: 安世 封装: SOT-89-3 | 功能相似 | NXP BCX52-16,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 145 MHz, 4引脚 UPAK封装 | DCX52-16-13和BCX52-16,115的区别 | |
型号: BCX52-16,135 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin3+Tab | DCX52-16-13和BCX52-16,135的区别 |