DMN3070SSN-7

Diodes(美台) 分立器件

N沟道 30V 4.2A

N-Channel 30V 4.2A Ta 780mW Ta Surface Mount SC-59

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MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

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N沟道 30V 4.2A

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Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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MOSFET N-channel 30V 4.2A SC59

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Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin SC-59 T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SC-59 T/R

DMN3070SSN-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.3 W

输入电容 697 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.2A

上升时间 20.1 ns

输入电容Ciss 697pF @15VVds

额定功率Max 780 mW

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 780mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN3070SSN-7引脚图与封装图

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