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DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

P 沟道 30 V 65 mΩ 1.5 W 10.1 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-26

P Channel 30 V 65 mO 1.5 W 10.1 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-26


得捷:
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26


立创商城:
P沟道 30V 4.3A


贸泽:
MOSFET P-Channel 1.25W


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, 表面安装


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMP3056LDM-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 30V 5A SOT26


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R


儒卓力:
**P-CH MOS-FET 5A 30V SOT26 **


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26


DMP3056LDM-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 65 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 1.5 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 4.3A

上升时间 6.6 ns

输入电容Ciss 948pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 22.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMP3056LDM-7引脚图与封装图
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DMP3056LDM-7 Diodes 美台 P 沟道 30 V 65 mΩ 1.5 W 10.1 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-26 搜索库存