DMP56D0UFB-7B
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMP56D0UFB-7B中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 0.425 W
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 6.63 ns
输入电容Ciss 50.54pF @25VVds
额定功率Max 425 mW
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 425mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN1006-3
外形尺寸
封装 DFN1006-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DMP56D0UFB-7B引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| DMP56D0UFB-7B | Diodes 美台 | MOSFET P-CH 50V 200mA 3DFN | 搜索库存 |