DMG4812SSS-13

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 10.7A Automotive 8Pin SO T/R

N-Channel 30V 8A Ta 1.54W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8A 8SO

贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.7A 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.7A Automotive 8-Pin SO T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

DMG4812SSS-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.8 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10.7A

上升时间 8.73 ns

输入电容Ciss 1849pF @15VVds

额定功率Max 1.54 W

下降时间 4.69 ns

耗散功率Max 1.54W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMG4812SSS-13引脚图与封装图

DMG4812SSS-13引脚图

DMG4812SSS-13封装图

DMG4812SSS-13封装焊盘图

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