DMN32D4SDW-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN32D4SDW-7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.65A
上升时间 3.2 ns
输入电容Ciss 50pF @15VVds
额定功率Max 290 mW
下降时间 22.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN32D4SDW-7引脚图与封装图
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在线购买DMN32D4SDW-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN32D4SDW-7 | Diodes 美台 | 2个N沟道 30V 650mA | 搜索库存 |
替代型号DMN32D4SDW-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN32D4SDW-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-363 N-CH 30V 0.65A | 当前型号 | 2个N沟道 30V 650mA | 当前型号 |
| 型号： DMN32D4SDW-13 品牌： 美台 封装： SOT-363 N-CH 30V 0.65A | 完全替代 | MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363 | DMN32D4SDW-7和DMN32D4SDW-13的区别 |