锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DMP21D0UFB4-7B

DMP21D0UFB4-7B

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMP21D0UFB4-7B 编带

DMP21D0UFB4 Series 20V 770 mA 495 mOhm P-Ch Enhancement Mode Mosfet-X2-DFN1006-3


得捷:
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN


立创商城:
P沟道 20V 770mA


贸泽:
MOSFET 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMP21D0UFB4-7B power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 990 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET; P Channel; Trans 20V 1.17A DFN3


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN


DMP21D0UFB4-7B中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 0.99 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.17A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 80pF @10VVds

额定功率Max 430 mW

下降时间 18.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 990 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

DMP21D0UFB4-7B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DMP21D0UFB4-7B
型号 制造商 描述 购买
DMP21D0UFB4-7B Diodes 美台 DMP21D0UFB4-7B 编带 搜索库存