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DSS5140V-7

DSS5140V-7

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Diodes(美台) 分立器件

DSS5140V 系列 40 V 1 A 低 VCESAT PNP 表面贴装 晶体管 - SOT-563

If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the PNP BJT, developed by Zetex, is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

DSS5140V-7中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR88

DSS5140V-7引脚图与封装图
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在线购买DSS5140V-7
型号 制造商 描述 购买
DSS5140V-7 Diodes 美台 DSS5140V 系列 40 V 1 A 低 VCESAT PNP 表面贴装 晶体管 - SOT-563 搜索库存
替代型号DSS5140V-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DSS5140V-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-563 PNP 600mW

当前型号

DSS5140V 系列 40 V 1 A 低 VCESAT PNP 表面贴装 晶体管 - SOT-563

当前型号

型号: PBSS5140V,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-563 PNP

功能相似

SOT-666 PNP 40V 1A

DSS5140V-7和PBSS5140V,115的区别