DMN66D0LW-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 0.2 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.115A
输入电容Ciss 23pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN66D0LW-7 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3Pin SOT-323 T/R | 搜索库存 |