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DP350T05-7

DP350T05-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

PNP小信号表面贴装晶体管 特点外延平面电路小片建设互..

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -350V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| -350V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 20~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available DN350T05 Ideal for Medium Power Amplification and Switching Lead Free By Design/RoHS Compliant Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 描述与应用| PNP小信号表面贴装 特点 外延平面电路小片建设 互补NPN型(DN350T05) 非常适于中等功率放大和开关 无铅设计/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 合格的AEC-Q101高可靠性标准

DP350T05-7中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -350 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DP350T05-7引脚图与封装图
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在线购买DP350T05-7
型号 制造商 描述 购买
DP350T05-7 Diodes 美台 PNP小信号表面贴装晶体管 特点外延平面电路小片建设互.. 搜索库存
替代型号DP350T05-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DP350T05-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 PNP 350V 500mA 300mW

当前型号

PNP小信号表面贴装晶体管 特点外延平面电路小片建设互..

当前型号

型号: FMMT6520TA

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 PNP 350V 500mA 330mW

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