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DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN3135LVT-7 编带

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 3.5A 840mW 表面贴装型 TSOT-26


立创商城:
2个N沟道 30V 3.5A


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 3.5 A, 0.035 ohm, TSOT-26, 表面安装


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s DMN3135LVT-7 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 1270 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26


DMN3135LVT-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.27 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 4.6 ns

输入电容Ciss 305pF @15VVds

额定功率Max 840 mW

下降时间 2.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1270 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN3135LVT-7引脚图与封装图
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