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DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN3032LE-13 编带

表面贴装型 N 通道 30 V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223


立创商城:
N沟道 30V 5.6A


艾睿:
This DMN3032LE-13 power MOSFET from Diodes Zetex can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 14000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET N-Ch 30V 5.6A Enhanc. SOT223


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.6A 3-Pin SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223


DMN3032LE-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 14 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.6A

上升时间 3.9 ns

输入电容Ciss 498pF @15VVds

下降时间 1.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN3032LE-13引脚图与封装图
DMN3032LE-13引脚图

DMN3032LE-13引脚图

DMN3032LE-13封装图

DMN3032LE-13封装图

DMN3032LE-13封装焊盘图

DMN3032LE-13封装焊盘图

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