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DPLS350E-13

DPLS350E-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 50V 3A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

DPLS350E-13中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定功率 1 W

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DPLS350E-13引脚图与封装图
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在线购买DPLS350E-13
型号 制造商 描述 购买
DPLS350E-13 Diodes 美台 Trans GP BJT PNP 50V 3A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号DPLS350E-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DPLS350E-13

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 PNP 1000mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 50V 3A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号: PBSS5350Z,135

品牌: 安世

封装: SOT-223

功能相似

PBSS5350Z,135 编带

DPLS350E-13和PBSS5350Z,135的区别