DTC115ECAHZGT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3

得捷:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 100kO Input Resist

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

DTC115ECAHZGT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

输出电压 100 mV

耗散功率 200 mW

最小电流放大倍数hFE 82

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTC115ECAHZGT116引脚图与封装图

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DTC115ECAHZGT116	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率	搜索库存