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DTC114YUBHZGTL

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数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.212 电阻比率

晶体管 - 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 + 二极管 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3F


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DTC114YUBHZGTL


得捷:
NPN DIGITAL TRANSISTOR WITH BUI


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-323FL 50V VCC 0.1A IC


DTC114YUBHZGTL中文资料参数规格
技术参数

输出电压 100 mV

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DTC114YUBHZGTL引脚图与封装图
DTC114YUBHZGTL引脚图

DTC114YUBHZGTL引脚图

DTC114YUBHZGTL封装图

DTC114YUBHZGTL封装图

DTC114YUBHZGTL封装焊盘图

DTC114YUBHZGTL封装焊盘图

在线购买DTC114YUBHZGTL
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DTC114YUBHZGTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.212 电阻比率 搜索库存