DTC114YUBHZGTL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
输出电压 100 mV
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
产品生命周期 Not Recommended
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
DTC114YUBHZGTL引脚图
DTC114YUBHZGTL封装图
DTC114YUBHZGTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC114YUBHZGTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.212 电阻比率 | 搜索库存 |