DDB2U30N08VRBOMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 880pF @25V
额定功率Max 83.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 83500 mW
引脚数 8
封装 AG-EASY750-1
封装 AG-EASY750-1
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DDB2U30N08VRBOMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 83500mW 8Pin EASY750 Tray | 搜索库存 |