DG636EN-T1-E4
数据手册.pdfVISHAY(威世)
主动器件
DG636EN-T1-E4中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 4
通道数 2
耗散功率 0.525 W
输入数 2
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 525 mW
电源电压Max 12 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
引脚数 16
封装 MiniQFN
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 MiniQFN
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DG636EN-T1-E4引脚图与封装图
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在线购买DG636EN-T1-E4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DG636EN-T1-E4 | VISHAY 威世 | 0.5 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏，双路SPDT模拟开关 0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch | 搜索库存 |