DTA143ECAHZGT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3

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1个PNP-预偏置 100mA

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PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

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双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 4.7kO Input Resist

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

DTA143ECAHZGT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 200 mW

最小电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTA143ECAHZGT116引脚图与封装图

DTA143ECAHZGT116引脚图

DTA143ECAHZGT116封装图

DTA143ECAHZGT116封装焊盘图

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DTA143ECAHZGT116	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率	搜索库存