DMTH6004SCTBQ-13
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Vishay Semiconductor
威世
分立器件
DMTH6004SCTBQ-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 4.7W Ta, 136W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 4556pF @30VVds
耗散功率Max 4.7W Ta, 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
DMTH6004SCTBQ-13引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMTH6004SCTBQ-13 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A | 搜索库存 |