DN3545N3-G P003
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Microchip
微芯
分立器件
DN3545N3-G P003中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 20 Ω
耗散功率 740 mW
漏源击穿电压 450 V
上升时间 30 ns
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DN3545N3-G P003引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DN3545N3-G P003 | Microchip 微芯 | MOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92 | 搜索库存 |