DTA123ECAT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3Pin SOT-23 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3

得捷:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SST3

DTA123ECAT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTA123ECAT116引脚图与封装图

DTA123ECAT116引脚图

DTA123ECAT116封装图

DTA123ECAT116封装焊盘图

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