DTC123JCAT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

1个NPN-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3

立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V

得捷:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 100mA 50V w/bias resistor

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

DTC123JCAT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTC123JCAT116引脚图与封装图

DTC123JCAT116引脚图

DTC123JCAT116封装图

DTC123JCAT116封装焊盘图

在线购买DTC123JCAT116

型号	制造商	描述	购买
DTC123JCAT116	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	1个NPN-预偏置 100mA 50V	搜索库存