DTB123TCT116
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB123TCT116中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTB123TCT116引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| DTB123TCT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP -500mA/-50V w/bias resistors | 搜索库存 |