DTB114ECT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SST3

得捷:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP -500mA/-50V w/bias resistors

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R

DTB114ECT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

输出电压 100 mV

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTB114ECT116引脚图与封装图

DTB114ECT116引脚图

DTB114ECT116封装图

DTB114ECT116封装焊盘图

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DTB114ECT116	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm	搜索库存