DTB113ECT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

1个PNP-预偏置 500mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3

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DTB113ECT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DTB113ECT116引脚图与封装图

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