DTC114TCAT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 SST3

得捷:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SST3

DTC114TCAT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTC114TCAT116引脚图与封装图

DTC114TCAT116引脚图

DTC114TCAT116封装图

DTC114TCAT116封装焊盘图

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DTC114TCAT116	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor	搜索库存

替代型号DTC114TCAT116

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DTC114TCAT116 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体封装： Cut 350mW	当前型号	双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor	当前型号
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