DTD114GCT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3

得捷:
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

DTD114GCT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTD114GCT116引脚图与封装图

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