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DTC114TE
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 主动器件

DTC114TE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k sot-523/EMT3 marking/标记 4

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 300 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features 1 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. 2 The bias resistors consist of thin film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3 Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特性 1)内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻(见等效电路)。 2)偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许负偏置输入。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 3)只有开/关条件需要设置操作,使装置设计容易

DTC114TE中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

封装参数

封装 EMT

外形尺寸

封装 EMT

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

DTC114TE引脚图与封装图
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型号: DTC114TE

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: EMT NPN

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DTC114TE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k sot-523/EMT3 marking/标记 4

当前型号

型号: PDTC114TK,115

品牌: 恩智浦

封装: TO-236 NPN

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DTC114TE和PDTC114TK,115的区别

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品牌: 恩智浦

封装: SOT-323 50V 100mA

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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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