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DTC144EE
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 主动器件

DTC144EE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 47k 47k sot-523/EMT3 marking/标记 26

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 47KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 68 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features 1 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3 Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特性 1)内置启用偏置电阻器的配置, 逆变电路无需连接外部输入电阻 2)偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许负偏置输入。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 3)只有开/关条件需要设置操作,使装置的设计容易

DTC144EE中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

封装 EMT-3

外形尺寸

封装 EMT-3

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

DTC144EE引脚图与封装图
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DTC144EE ROHM Semiconductor 罗姆半导体 DTC144EE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 47k 47k sot-523/EMT3 marking/标记 26 搜索库存
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型号: DTC144EE

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: sot-523/EMT3 NPN

当前型号

DTC144EE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 47k 47k sot-523/EMT3 marking/标记 26

当前型号

型号: DTC144EKA

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-23/SC-59/SMT3 NPN

类似代替

DTC144EKA 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 47k 47k SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 26

DTC144EE和DTC144EKA的区别

型号: DTC144EKAT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-346 NPN 50V 100mA 200mW

功能相似

ROHM  DTC144EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE

DTC144EE和DTC144EKAT146的区别

型号: DTC144EETL

品牌: 罗姆半导体

封装: EMT NPN 50V 100mA 150mW

功能相似

ROHM  DTC144EETL  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 68 hFE

DTC144EE和DTC144EETL的区别