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DTB143ECT116

DTB143ECT116

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SOT-23 PNP 50V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3


得捷:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST


DTB143ECT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 47 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTB143ECT116引脚图与封装图
DTB143ECT116引脚图

DTB143ECT116引脚图

DTB143ECT116封装图

DTB143ECT116封装图

DTB143ECT116封装焊盘图

DTB143ECT116封装焊盘图

在线购买DTB143ECT116
型号 制造商 描述 购买
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替代型号DTB143ECT116
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTB143ECT116

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-23 PNP 200mW

当前型号

SOT-23 PNP 50V 500mA

当前型号

型号: DTB143EC

品牌: 罗姆半导体

封装:

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DTB143ECT116和DTB143EC的区别