极性 NPN
耗散功率 10 W
增益频宽积 75 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-202-3
封装 TO-202-3
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: D40K2 品牌: Central Semiconductor 封装: | 当前型号 | TO-202 NPN 50V 2A | 当前型号 | |
型号: BUX85F 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | 扩散硅功率晶体管 Silicon diffused power transistors | D40K2和BUX85F的区别 | |
型号: D40K1 品牌: Central Semiconductor 封装: | 功能相似 | TO-202 NPN 30V 2A | D40K2和D40K1的区别 | |
型号: D41D5 品牌: Central Semiconductor 封装: | 功能相似 | TO-202 PNP 45V 1A | D40K2和D41D5的区别 |