DS1225Y-150
数据手册.pdf
Maxim Integrated
美信
主动器件
DS1225Y-150中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 4.50V min
工作电压 4.5V ~ 5.5V
负载电容 10.0 pF
存取时间 150 ns
内存容量 8000 B
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP
外形尺寸
封装 DIP
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
DS1225Y-150引脚图与封装图 
DS1225Y-150引脚图
DS1225Y-150封装图
DS1225Y-150封装焊盘图
在线购买DS1225Y-150
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1225Y-150 | Maxim Integrated 美信 | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIP | 搜索库存 |
替代型号DS1225Y-150
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1225Y-150 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 8000B 4.5V 28Pin | 当前型号 | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIP | 当前型号 |
| 型号： DS1225Y-150+ 品牌： 美信 封装： DIP 8000B 4.5V 28Pin | 完全替代 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225Y-150+ 芯片, 存储器, NVRAM, CMOS 64K, 1225, DIP28 新 | DS1225Y-150和DS1225Y-150+的区别 |
| 型号： DS1225Y-150IND+ 品牌： 美信 封装： MOD | 类似代替 | IC SRAM NV 64K 10% 150NS 28-DIP | DS1225Y-150和DS1225Y-150IND+的区别 |
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