DTA123E
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
DTA123E中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMT-3
外形尺寸
封装 SMT-3
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA123E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DTA123E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA123E | ON Semiconductor 安森美 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号DTA123E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA123E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMT3 PNP | 当前型号 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： DTA123EET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | DTA123E和DTA123EET1G的区别 |
