DDTA113TKA-7-F
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
DDTA113TKA-7-F中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
外形尺寸
高度 1.3 mm
封装 SC-59-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DDTA113TKA-7-F引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DDTA113TKA-7-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DDTA113TKA-7-F | Vishay Semiconductor 威世 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R | 搜索库存 |
替代型号DDTA113TKA-7-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DDTA113TKA-7-F 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SC-59-3 PNP 200mW | 当前型号 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R | 当前型号 |
| 型号： DDTA113TCA-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 50V 100mA 0.2W | 功能相似 | PNP - 预偏压 100mA 50V | DDTA113TKA-7-F和DDTA113TCA-7-F的区别 |