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DN1509K1-G

DN1509K1-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

SOT-23 N-CH 90V 0.2A

表面贴装型 N 通道 90 V 200mA(Tj) 490mW(Ta) SOT-23-5


得捷:
MOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5


立创商城:
DN1509K1-G


贸泽:
MOSFET MOSFET 90V Depletion Mode


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Microchip Technology&s;s DN1509K1-G power MOSFET. Its maximum power dissipation is 490 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes dmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET, DEPLETION-MODE, 90V, 6 Ohm5 SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 0.3A; 490mW; SOT23-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.2A 5-Pin SOT-23 T/R


DN1509K1-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.49 W

通道数 1

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 490 mW

漏源极电压Vds 90 V

漏源击穿电压 90 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 150pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 490mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-23-5

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DN1509K1-G引脚图与封装图
DN1509K1-G引脚图

DN1509K1-G引脚图

DN1509K1-G封装图

DN1509K1-G封装图

DN1509K1-G封装焊盘图

DN1509K1-G封装焊盘图

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