DMP2004VK
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
DMP2004VK中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.7 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 400 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.53A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
DMP2004VK引脚图与封装图
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在线购买DMP2004VK
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMP2004VK | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. DMP2004VK MOSFET Transistor, P Channel, -530mA, -20V, 0.7Ω, -4.5V, -500mV | 搜索库存 |
替代型号DMP2004VK
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMP2004VK 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-563 P-Channel 20V 0.53A | 当前型号 | DIODES INC. DMP2004VK MOSFET Transistor, P Channel, -530mA, -20V, 0.7Ω, -4.5V, -500mV | 当前型号 |
| 型号： PMDT670UPE 品牌： 恩智浦 封装： SOT-666 Dual P-Channel | 功能相似 | NXP PMDT670UPE 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -550 mA, -20 V, 0.67 ohm, -4.5 V, -800 mV | DMP2004VK和PMDT670UPE的区别 |