DMN3115UDM
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Vishay Semiconductor
威世
分立器件
DMN3115UDM中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 500 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.2A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-26
外形尺寸
封装 SOT-26
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
DMN3115UDM引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN3115UDM | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. DMN3115UDM 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 500 mV | 搜索库存 |