DSB60C45HB
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IXYS Semiconductor
分立器件
DSB60C45HB中文资料参数规格
技术参数
正向电压 620mV @30A
耗散功率 130 W
正向电流 30 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 320 A
正向电压Max 580 mV
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
DSB60C45HB引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DSB60C45HB | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR DSB60C45HB Small Signal Schottky Diode, Dual Common Cathode, 45V, 30A, 580mV, 320A, 150℃ | 搜索库存 |