DTB123YCT116
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB123YCT116中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTB123YCT116引脚图与封装图 
DTB123YCT116引脚图
DTB123YCT116封装图
DTB123YCT116封装焊盘图
在线购买DTB123YCT116
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTB123YCT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm | 搜索库存 |
替代型号DTB123YCT116
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTB123YCT116 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SST PNP 200mW | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm | 当前型号 |
| 型号： DTB123YC 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-23 PNP | 功能相似 | 数字晶体管（内置电阻） Digital transistors built-in resistors | DTB123YCT116和DTB123YC的区别 |