DTA114EUBHZGTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA114EUBHZGTL中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
其他
产品生命周期 Not Recommended
制造应用 车用, Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
DTA114EUBHZGTL引脚图与封装图 
DTA114EUBHZGTL引脚图
DTA114EUBHZGTL封装图
DTA114EUBHZGTL封装焊盘图
在线购买DTA114EUBHZGTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA114EUBHZGTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTA114EUBHZGTL 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | 搜索库存 |
替代型号DTA114EUBHZGTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA114EUBHZGTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-323 PNP | 当前型号 | ROHM DTA114EUBHZGTL 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | 当前型号 |
| 型号： DTA114EU3HZGT106 品牌： 罗姆半导体 封装： | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率 | DTA114EUBHZGTL和DTA114EU3HZGT106的区别 |