DG3535DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 457 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 6 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 FOOT-10
外形尺寸
长度 2.02 mm
宽度 1.52 mm
高度 0.5 mm
封装 FOOT-10
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DG3535DB-T1-E1引脚图与封装图
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在线购买DG3535DB-T1-E1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DG3535DB-T1-E1 | Vishay Semiconductor 威世 | 0.25欧姆的低电压双路SPDT模拟开关 0.25-OHM Low-Voltage Dual SPDT Analog Switch | 搜索库存 |